铝酸镁(MgAl2O4)-薄膜衬底
铝酸镁(尖晶石)单晶是一种优质的薄膜衬底材料,具有高热稳定性、低热膨胀系数和良好的化学稳定性。它广泛应用于声波和微波器件、快速集成电路(IC)的外延基片等领域,是制备高性能电子器件的理想选择。
主要优点:广泛的应用领域,良好的物理性能,化学稳定性,与外延硅薄层晶格匹配良好,良好的加工性能,高质量的单晶生长。
应用领域:被广泛应用于声波和微波器件,作为外延基片材料,有助于制备出高性能的氮化物器件,使得它成为制备高性能集成电路的理想材料之一。
化学组成与结构
- 化学式:MgAl2O4
- 晶体结构:属于立方晶系,具有尖晶石结构。晶胞参数a=0.8085纳米(或a=8.085Å),显示出其紧密的晶体结构。
物理性质
- 熔点:高达2130℃(或2403K),显示其优异的热稳定性。
- 密度:在25°C下,密度为64克/厘米³(或3.64g/mL),表明其具有较高的质量密度。
- 莫氏硬度:约为8 Mohs,说明其硬度适中,既能够抵抗一定程度的磨损,又便于加工处理。
- 颜色:通常为白色透明。
技术参数与规格
- 生长方法:常采用直拉法(提拉法)生长,可以得到高质量的单晶。
- 晶格常数:a=0.8083 nm(或a=8.083Å),这决定了其晶体结构的特性。
- 热膨胀系数:约为45×10^-6/℃,表明其在温度变化时具有较小的体积变化。
- 介电常数:虽未具体给出,但尖晶石结构的材料通常具有较低的介电常数和介电损耗。
铝酸镁(尖晶石)单晶作为薄膜衬底的主要优点:
广泛的应用领域:
铝酸镁(尖晶石)单晶广泛应用于声波和微波器件,以及快速集成电路(IC)的外延基片。这种广泛的应用范围证明了其在不同领域内的优异性能。
良好的物理性能:
铝酸镁(尖晶石)单晶具有高的熔点(约2130℃),显示出其优良的热稳定性。
它的热膨胀系数较小(约为45×10^-6/℃),意味着在温度变化时体积变化较小,有利于器件的稳定运行。
其硬度适中(莫氏硬度约为8 Mohs),既能够抵抗一定程度的磨损,又便于加工处理。
化学稳定性:
铝酸镁(尖晶石)单晶不溶于水和稀硝酸,微溶于硫酸和稀盐酸,显示出良好的化学稳定性,有利于在各种化学环境中保持其性能。
与外延硅薄层晶格匹配良好:
铝酸镁(尖晶石)单晶与外延硅薄层晶格匹配良好,衬底中铝原子向外延硅薄层内的自掺杂小,热稳定性好。这一特性使其成为超高速大规模集成电路的优质绝缘衬底材料之一。
良好的加工性能:
铝酸镁(尖晶石)单晶硬度较小,加工性能较好,便于在制造过程中进行切割、研磨等加工处理。
高质量的单晶生长:
经过科研和技术的努力,现在能够提供最大直径2英寸的无孪晶、无晶畴、超光滑的高质量衬底基片(FWHM<50 arcsec, 粗糙度Ra<0.5 nm),这进一步保证了其在各种应用中的高性能。
应用领域:
铝酸镁(尖晶石)单晶作为薄膜衬底,其应用领域主要涵盖以下几个方面:
声波和微波器件:
铝酸镁(尖晶石)单晶因其独特的物理性质,被广泛应用于声波和微波器件中。它能够提供稳定的衬底支持,有助于提升器件的性能和稳定性。
快速集成电路(IC)外延基片:
在集成电路制造领域,铝酸镁(尖晶石)单晶作为外延基片材料,为超高速大规模集成电路的制备提供了优质的绝缘衬底。其良好的晶格匹配性、热稳定性和低自掺杂量等特点,使得外延硅薄层能够获得更好的性能。
III-V族氮化物器件的衬底:
研究发现,铝酸镁(尖晶石)单晶是III-V族氮化物器件的良好衬底。它能够提供稳定的生长环境,有助于制备出高性能的氮化物器件。
技术参数与优势:
铝酸镁(尖晶石)单晶的技术参数包括高熔点(约2130℃)、低热膨胀系数(约为45×10^-6/℃)和适中的硬度(莫氏硬度约为8 Mohs)。这些参数保证了其在高温、高压等极端环境下的稳定性和可靠性。
此外,铝酸镁(尖晶石)单晶与外延硅薄层的晶格匹配性良好,衬底中铝原子向外延硅薄层内的自掺杂量小,热稳定性好。这些特点使得它成为制备高性能集成电路的理想材料之一。
参数 | 数值 |
化学式 | MgAl2O4 |
分子量 | 102.41 g/mol |
密度 | 3.58 g/cm³ |
熔点 | 2135 °C |
热导率 | 15 W/(m·K) |
热膨胀系数 | 8.0 × 10⁻⁶/K |
比表面积 | 10-100 m²/g |