CZT (CdZnTe) Wafers and Substrates-碲化镉锌（CZT）晶圆和基板

CZT（碲化镉锌）晶圆和基板是一种由碲化镉锌（CdZnTe）材料制成的半导体器件。这种材料具有优异的探测性能和宽带隙，常用于X射线和γ射线探测器、红外探测器和其他高能物理实验中。CZT晶圆和基板因其高电阻率和良好的电学性能而在探测领域有着广泛应用。

材料：碲化镉锌（CdZnTe）

晶体结构：立方晶体结构

晶圆尺寸：通常为2英寸、3英寸或4英寸

厚度：通常在500 µm到1 mm之间

电阻率：高电阻率，通常在10^10 Ω·cm以上

禁带宽度：约1.4 eV

载流子迁移率：电子迁移率约为1000 cm²/V·s，空穴迁移率约为50 cm²/V·s

透过率：在可见光和红外范围内具有良好的透过率

优点：

高探测效率：对X射线和γ射线具有高探测效率，能够精确探测高能粒子。

宽带隙：具有较宽的禁带宽度，能够在高温下稳定工作。

高电阻率：高电阻率降低了漏电流，提高了探测器的信噪比。

低噪声：材料本身具有低本征噪声，有助于提高探测器的性能。

高光电转换效率：在红外探测器应用中表现出优异的光电转换效率。

应用领域：

X射线探测：用于医学成像、安检设备、工业无损检测等领域的X射线探测器。

γ射线探测：应用于核医学、核物理实验和安全检测等领域的γ射线探测器。

红外探测：在红外成像和热成像系统中，用于探测红外辐射。

高能物理实验：用于高能粒子探测和实验研究。

安全检测：用于检测隐藏的放射性材料和违禁物品。

基本参数表格：

参数	描述/值
材料	CdZnTe (碲锌镉)
晶体结构	立方结构（类似于硫化锌或闪锌矿）
晶格常数 (A)	0.6100 – 0.6482 Å（随Zn含量变化）
密度 (g/cm³)	5.851
熔点 (°C)	1092 – 1295（随Zn含量变化）
导电类型	通常为p型
电阻率 (Ω·cm)	>10^4
红外透过率	>60% (在1.5μm～25μm波段)
晶向	<111>、<211>等，可定制
尺寸	如10×10×1mm³, 14×14×1.3mm³, 25×25×1.3mm³等，可定制
表面平整度	高平整度，表面粗糙度参数可测量
表面杂质浓度	低至几x1012至几x1015 atoms/cm²（具体取决于处理过程）
应用	红外探测器HgCdTe的外延衬底、室温核辐射探测器等
储存/运输条件	温度10℃40℃，湿度20%80%（无凝霜）
特性	良好的导电性能、广泛可调和的直接带隙、较高的吸收系数、与HgCdTe外延膜的良好晶格匹配性、温和的热膨胀性等