GaAs (Gallium Arsenide) Crystal and Wafers-砷化镓（GaAs）晶体和晶圆

GaAs（砷化镓）晶体和晶圆是一种由砷化镓材料制成的半导体器件。砷化镓具有优异的电子和光学性能，在高频电子器件、光电器件和太阳能电池等领域有着广泛应用。由于其高电子迁移率和宽带隙，GaAs晶圆在许多先进技术中发挥着关键作用。

材料：砷化镓（GaAs）

晶体结构：闪锌矿结构

晶圆尺寸：通常为2英寸、3英寸、4英寸和6英寸

厚度：通常在350 µm到650 µm之间

电阻率：半绝缘GaAs电阻率 > 10^7 Ω·cm

禁带宽度：约1.42 eV

载流子迁移率：电子迁移率约为8500 cm²/V·s，空穴迁移率约为400 cm²/V·s

断裂韧性：较低，大约为0.65 MPa·m^0.5

优点：

高电子迁移率：电子迁移率高，使其在高频和高速电子器件中表现出色。

直接带隙：具有直接带隙结构，能够高效地发射和探测光子，适用于光电器件。

高热导率：较好的热导率，有助于散热，适用于高功率器件。

宽温度工作范围：能够在高温和低温环境下稳定工作。

高击穿电压：较高的击穿电压，使其适用于高功率和高电压应用。

应用领域：

高频电子器件：用于制造微波和毫米波器件，如移动通信、雷达和卫星通信系统中的放大器和混频器。

光电器件：广泛应用于LED、激光二极管、太阳能电池和光电探测器等领域。

光伏应用：在高效太阳能电池中，特别是在空间应用中，利用其高光电转换效率。

高电子迁移率晶体管（HEMT）：用于高频、高速电子器件，如射频和微波电路。

集成电路：在高速数字电路和模拟电路中，用于高性能集成电路制造。

基本参数：

参数	描述/值
材料名称	砷化镓（Gallium Arsenide）
化学式	GaAs
分子量	144.645
CAS号	1303-00-0
晶体结构	闪锌矿型（Zinc Blende）
晶格常数 (nm)	0.5653
密度 (g/cm³)	5.31 – 5.37（不同来源略有差异）
熔点 (°C)	1238
禁带宽度 (eV)	1.424 – 1.43（室温下）
外观	黑灰色固体，立方晶体
导电类型	可通过掺杂调节为n型或p型
载流子浓度 (cm⁻³)	可根据掺杂水平变化，如未掺杂>5×10¹⁷
位错密度 (cm⁻²)	<5×10⁵（高品质单晶）
生长方法	布里奇曼法（Bridgman）、液相外延（LPE）、气相外延（VPE）等
标准基片尺寸 (mm)	Dia2″×0.35mm, Dia3″×0.35mm, Dia100×0.65mm等，可定制
表面粗糙度 (Ra)	<=5A（高精度抛光）
应用	集成电路衬底、红外探测器、γ光子探测器、太阳能电池等
储存条件	保持贮藏器密封，储存在阴凉、干燥的地方，确保工作间有良好的通风或排气装置