氧化锌(ZnO)-薄膜衬底
氧化锌（ZnO）薄膜衬底以其优异的光学、电学和压电性能在多个领域具有广泛应用。它具有良好的可见光透过率、宽带隙和高的化学稳定性，适用于制作高性能的光电器件、传感器和表面声波器件等。
主要优点：光学性能优异,电学性能可调,压电和机电性能良好,化学稳定性高,制备简单且兼容性好,应用前景广阔。
应用领域：紫外及可见光发光材料,高电场设备和高温高能电子器件,为高频通信提供高质量的衬底材料,可用于制作透明电极等关键部件,可用于制作表面型气敏元件等。
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CZT (CdZnTe) Wafers and Substrates-碲化镉锌（CZT）晶圆和基板
CZT（碲化镉锌）晶圆和基板是一种由碲化镉锌（CdZnTe）材料制成的半导体器件。这种材料具有优异的探测性能和宽带隙，常用于X射线和γ射线探测器、红外探测器和其他高能物理实验中。CZT晶圆和基板因其高电阻率和良好的电学性能而在探测领域有着广泛应用。
优点：高探测效率 宽带隙 高电阻率 低噪声 高光电转换效率
应用领域：用于医学成像、安检设备、工业无损检测等领域的X射线探测器，应用于核医学、核物理实验和安全检测等领域的γ射线探测器，用于探测红外辐射。
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GaAs (Gallium Arsenide) Crystal and Wafers-砷化镓（GaAs）晶体和晶圆
GaAs（砷化镓）晶体和晶圆是一种由砷化镓材料制成的半导体器件。砷化镓具有优异的电子和光学性能，在高频电子器件、光电器件和太阳能电池等领域有着广泛应用。由于其高电子迁移率和宽带隙，GaAs晶圆在许多先进技术中发挥着关键作用。
优点：高电子迁移率 直接带隙 高热导率 宽温度工作范围 高击穿电压
应用领域：用于制造微波和毫米波器件，如移动通信、雷达和卫星通信系统中的放大器和混频器，用于高频、高速电子器件，如射频和微波电路。
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砷化铟（InAs）-薄膜衬底
薄膜衬底InAs单晶是一种高性能半导体材料，以其高电子迁移率、优异的红外敏感性和宽光谱范围而著称。它适用于高速电子设备、红外探测器等应用，展现出广阔的应用前景。
主要优点：高电子迁移率,良好的光电特性,宽光谱范围,可定制性,高质量,广泛的应用前景。
应用领域：制备波长为2-14μm的红外发光器件,适用于高速电子设备的制造,各种光电器件，如光敏电阻、光电二极管等。
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硅（Si)-薄膜衬底
薄膜衬底硅（Si）是一种常用的半导体材料，以其优异的电子特性、高纯度、良好的热稳定性和机械性能而广泛应用于微电子、光电子、太阳能电池等领域。作为薄膜衬底，硅材料为各种电子器件提供了稳定、可靠的基础，是现代电子工业的重要基石。
主要优点：电子特性优良,制造成本低,高纯度与稳定性,易于加工,广泛应用,热稳定性好,丰富的产业链。
应用领域：硅衬底是制造集成电路的关键材料,硅衬底可以用于LED的制造,用于无线通信、雷达等系统。
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碳化硅（SiC）-薄膜衬底
SiC（碳化硅）单晶作为一种优质的薄膜衬底材料，具有许多显著的优势。SiC单晶作为一种优质的薄膜衬底材料，在制备高频率、高功率、耐高温以及耐辐照的电子器件方面具有显著优势。其高热导率、高饱和电子迁移率和抗电压击穿能力为电子器件提供了出色的性能和稳定性。
主要优点：优异的热传导性能、良好的耐高温性能、高抗化学腐蚀性、宽禁带半导体特性、高击穿电场强度、低功耗等
应用领域：电力电子、新能源汽车、微波射频等应用领域。
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磷化铟（InP）-薄膜衬底
InP单晶是一种重要的化合物半导体材料，由磷（P）和铟（In）组成，化学分子式为InP。它具有闪锌矿型结构，为复式晶格，晶格常数为0.58688nm。InP单晶具有高电子迁移率、高电光转换效率、良好的导热性以及强抗辐射能力等特点，使其在光电子技术和微波技术领域有广泛应用。InP单晶的主要应用领域包括光通信、高频器件、微波电路以及太阳能动力技术等。作为薄膜衬底材料，InP单晶在制备高性能电子器件方面表现出色。
主要优点：高电光转换效率,高电子迁移率,高工作温度,强抗辐射能力,良好的导热性,广泛的应用领域,,优异的材料性能。
应用领域：InP单晶非常适合于高频器件,InP单晶也被应用于太阳能动力技术,InP单晶还被应用于其他高科技领域，如光电子集成电路、量子计算、光电传感器等。
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锑化镓（GaSb）-薄膜衬底
薄膜衬底GaSb单晶基片是一种高性能半导体材料，以其与多种化合物的晶格匹配性、宽光谱带隙（0.8~4.3um）、高迁移率以及优良的物理性能而著称，广泛应用于红外探测、激光器等光电子器件制造中。
主要优点：晶格匹配性,宽光谱范围的带隙,较高的晶格限制迁移率,可定制性,优良的物理性能,良好的导热性能,多样化的掺杂选择。
应用领域：制作光谱范围在2～5μm的光电子器件,适用于制备中长波红外探测器材料,制备热光伏电池,以及大功率激光器等的多量子阱材料等。
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锗（Ge）-薄膜衬底
薄膜衬底锗（Ge）是一种优质的半导体材料，以其高电子迁移率、良好的热稳定性和机械性能在高科技领域得到广泛应用。它主要用于制造高性能的半导体器件、太阳能电池以及聚光光伏系统。锗衬底与砷化镓（GaAs）等化合物半导体具有良好的匹配性，常用于制作高效的叠层太阳能电池，尤其在外层空间供电电源中具有显著优势。然而，锗作为稀有金属，其开采和加工成本较高，限制了其更广泛的应用。
主要优点：优异的半导体性能,良好的热稳定性和机械性能,在特定领域的突出表现,战略资源,全球应用广泛,环保和可持续性
应用领域：可用于制造多种半导体器件,适用于人造卫星、太空站等外层空间应用,适用于军工及重大民用中的热成像仪与红外雷达及其他红外光学装置的窗口、透镜、棱镜与滤光片的制造等。