薄膜衬底GaSb单晶基片是一种高性能半导体材料，以其与多种化合物的晶格匹配性、宽光谱带隙（0.8~4.3um）、高迁移率以及优良的物理性能而著称，广泛应用于红外探测、激光器等光电子器件制造中。

主要优点：晶格匹配性,宽光谱范围的带隙,较高的晶格限制迁移率,可定制性,优良的物理性能,良好的导热性能,多样化的掺杂选择。

应用领域：制作光谱范围在2～5μm的光电子器件,适用于制备中长波红外探测器材料,制备热光伏电池,以及大功率激光器等的多量子阱材料等。