薄膜衬底GaN是一种高性能的半导体材料，以其宽禁带、高电子迁移率、耐高温和耐辐射等特性，在高频、高功率及极端环境下显示出色性能。它被广泛应用于LED照明、5G通信、电力电子及航空航天等领域。

主要优点：优异的电子特性、高频特性、高温特性、高功率特性、较好的抗辐照能力等。

应用领域：光电子器件、射频和微波电子器件、功率器件、高温大功率器件等领域。