GaAs（砷化镓）晶体和晶圆是一种由砷化镓材料制成的半导体器件。砷化镓具有优异的电子和光学性能，在高频电子器件、光电器件和太阳能电池等领域有着广泛应用。由于其高电子迁移率和宽带隙，GaAs晶圆在许多先进技术中发挥着关键作用。

优点：高电子迁移率 直接带隙 高热导率 宽温度工作范围 高击穿电压

应用领域：用于制造微波和毫米波器件，如移动通信、雷达和卫星通信系统中的放大器和混频器，用于高频、高速电子器件，如射频和微波电路。