SiC（碳化硅）单晶作为一种优质的薄膜衬底材料，具有许多显著的优势。SiC单晶作为一种优质的薄膜衬底材料，在制备高频率、高功率、耐高温以及耐辐照的电子器件方面具有显著优势。其高热导率、高饱和电子迁移率和抗电压击穿能力为电子器件提供了出色的性能和稳定性。

主要优点：优异的热传导性能、良好的耐高温性能、高抗化学腐蚀性、宽禁带半导体特性、高击穿电场强度、低功耗等

应用领域：电力电子、新能源汽车、微波射频等应用领域。