硅酸镓镧（LGS）晶体
简单描述
硅酸镓镧的化学式为La3Ga5SiO14，晶体结构为三方晶系。它具有高密度（约为5.75g/cm³，也有数据为5.754g/cm³）、高熔点（1470℃）和高莫氏硬度（约为6.5，也有数据为6.6）等特点。这些物理特性使得硅酸镓镧在各种应用环境中都能表现出良好的稳定性和耐用性。
优点：高热稳定性、低膨胀系数、高损伤阈值、优异的电光性能、良好的压电性能、物化稳定性好、可定制性
应用领域：电光Q开关、声表面波（SAW）器件、体表面波（BAW）器件、高功率全固态激光器、高温传感器
简单描述
硅酸镓镧的化学式为La3Ga5SiO14，晶体结构为三方晶系。它具有高密度（约为5.75g/cm³，也有数据为5.754g/cm³）、高熔点（1470℃）和高莫氏硬度（约为6.5，也有数据为6.6）等特点。这些物理特性使得硅酸镓镧在各种应用环境中都能表现出良好的稳定性和耐用性。
详细描述
硅酸镓镧晶体是一种具有优良性能的多功能晶体，具有高热稳定性、高介电常数、高压电常数和独特的电光性能等特点。这些特性使其在电光Q开关、SAW器件、BAW器件、高功率全固态激光器和高温传感器等领域具有广泛的应用前景。随着科学技术的不断发展，硅酸镓镧晶体的应用领域还将不断拓展和深化。
优点
- 高热稳定性：硅酸镓镧晶体具有较高的熔点（1470℃），并且在从室温到熔点的范围内无相变，这使得它在高温环境下仍能保持稳定的性能。这种高热稳定性使得硅酸镓镧成为制造高温传感器等器件的理想材料。
- 低膨胀系数：硅酸镓镧晶体的热膨胀系数较小，且热膨胀各向异性较弱。这意味着在温度变化时，晶体的尺寸变化较小，有利于保持器件的稳定性和精度。
- 高损伤阈值：硅酸镓镧晶体具有较高的损伤阈值，能够承受较高的光强或电场强度，而不会发生破坏。这使得它在高功率激光或电场应用中具有优势。
- 优异的电光性能：硅酸镓镧晶体具有两个独立的电光系数，且电光系数在很宽的温度范围内是稳定的。这使得它在电光效应方面具有独特的优势，可用于制作电光Q开关等器件。
- 良好的压电性能：硅酸镓镧晶体是一种压电材料，具有较高的压电常数和机电耦合系数。这使得它在声表面波（SAW）器件、体表面波（BAW）器件等领域具有广泛的应用。
- 物化稳定性好：硅酸镓镧晶体具有良好的力学性能和化学稳定性，不潮解，能够在各种复杂条件下稳定工作。
- 可定制性：硅酸镓镧晶体的尺寸、形状和切割方向等可以根据客户需求进行定制，这为其在特定领域的应用提供了灵活性。
应用领域
- 电光Q开关：硅酸镓镧晶体可用于制作电光Q开关，其效果可与DKDP晶体Q开关相媲美。
- 声表面波（SAW）器件：硅酸镓镧晶体具有较高的机电耦合系数和压电常数，是制造SAW器件的理想材料。
- 体表面波（BAW）器件：硅酸镓镧晶体同样适用于BAW器件的制造。
- 高功率全固态激光器：硅酸镓镧晶体在激光领域也具有潜在的应用价值。
- 高温传感器：由于其高热稳定性，硅酸镓镧晶体可用于制造高温传感器。
基本参数
| 参数类别 | 参数名称 | 数值/描述 |
| 基本物理参数 | 化学式 | La3Ga5SiO14 |
| 晶体结构 | 三方晶系 | |
| 密度 | 5.75 g/cm³（或5.754 g/cm³） | |
| 熔点 | 1470 ℃ | |
| 莫氏硬度 | 6.5（或6.6） | |
| 电学参数 | 介电常数（ε11/ε0） | 19.87 |
| 介电常数（ε33/ε0） | 51.24 | |
| 电阻率 | >1×10¹² Ω·cm（25℃） | |
| 压电应变常数（d11） | 6.45 | |
| 压电应变常数（d14） | -4.86 | |
| 压电应力常数（e11） | -0.38~-0.42（也有数据为-0.44或0.43） | |
| 压电应力常数（e14） | 0.08~0.12（也有数据为0.10） | |
| 机电耦合系数 | 0.38% | |
| 其他参数 | 热膨胀系数（α11） | 5.8×10⁻⁶/K |
| 热膨胀系数（α33） | 3.9×10⁻⁶/K | |
| SAW声波速度 | 2723 m/sec | |
| BAW频率常数 | 1380 KHz/mm | |
| 其他特性 | 晶体切型 | 可根据需求定制，如X,Y,Z,(0,138.5,27),(0,22,90)等 |
| 生长方法 | 提拉法等 | |
| 应用领域 | 电光Q开关、SAW器件、BAW器件、高功率全固态激光器、高温传感器等 |
