锑化镓（GaSb）-薄膜衬底
薄膜衬底GaSb单晶基片是一种高性能半导体材料，以其与多种化合物的晶格匹配性、宽光谱带隙（0.8~4.3um）、高迁移率以及优良的物理性能而著称，广泛应用于红外探测、激光器等光电子器件制造中。
主要优点：晶格匹配性,宽光谱范围的带隙,较高的晶格限制迁移率,可定制性,优良的物理性能,良好的导热性能,多样化的掺杂选择。
应用领域：制作光谱范围在2～5μm的光电子器件,适用于制备中长波红外探测器材料,制备热光伏电池,以及大功率激光器等的多量子阱材料等。
薄膜衬底GaSb单晶基片是一种高性能半导体材料，以其与多种化合物的晶格匹配性、宽光谱带隙（0.8~4.3um）、高迁移率以及优良的物理性能而著称，广泛应用于红外探测、激光器等光电子器件制造中。
材料特性：
GaSb单晶基片具有与各种三元和四元、III-V化合物固溶体的晶格常数相匹配的晶格常数，这使得它可以用作这些化合物的基底材料。
GaSb的带隙在8~4.3um宽的光谱范围内，为其在特定光谱范围内的应用提供了基础。
GaSb晶格的有限迁移率大于GaAs晶格，这在微波器件制造中具有潜在的应用前景。
生长方法：
GaSb单晶基片的生长方法包括LEC（液封直拉法）、VGF（垂直梯度凝固法）和VBG（垂直布里奇曼法）等。这些方法确保了GaSb单晶基片的高质量制备。
规格与定制：
GaSb单晶基片可以根据客户需求提供不同规格的产品，如Φ2″×0.5mm、Φ3″×0.5mm等尺寸。
可按照客户需求，定制特殊方向和尺寸的衬底，以满足不同应用的需求。
表面质量与包装：
GaSb单晶基片的表面粗糙度（Ra）通常小于或等于5A，可以提供原子力显微镜（AFM）检测报告来确保表面质量。
包装通常采用100级洁净袋，并在1000级超净室中进行，以确保产品的清洁度和质量。
导电类型与掺杂：
GaSb单晶基片可以根据需求进行不同的掺杂处理，以实现不同的导电类型（如P型或N型）和载流子浓度。常见的掺杂元素包括Zn、P和Te等。
薄膜衬底GaSb单晶基片的主要优点：
晶格匹配性：
GaSb单晶基片的晶格常数与多种三元和四元、III-V化合物固溶体的晶格常数相匹配，这使得它可以用作这些化合物的理想基底材料。这种匹配性有助于减少晶格失配引起的应力、缺陷等问题，从而提高外延生长的质量。
宽光谱范围的带隙：
GaSb的带隙在8~4.3um宽的光谱范围内，覆盖了从红外到可见光的一部分光谱。这使得GaSb单晶基片在红外探测、激光器和探测器等领域具有广泛的应用前景。
较高的晶格限制迁移率：
GaSb晶格的有限迁移率大于GaAs晶格，这为其在微波器件制造中提供了潜在的应用优势。较高的迁移率意味着电子在材料中的移动速度更快，有助于提高器件的性能。
可定制性：
GaSb单晶基片可以根据客户需求提供不同规格的产品，如Φ2″×0.5mm、Φ3″×0.5mm等尺寸，也可定制特殊方向和尺寸的衬底。这种可定制性满足了不同应用场景对衬底材料的多样化需求。
优良的物理性能：
GaSb单晶基片具有较高的机械强度和热稳定性，能够在恶劣的工作环境中保持稳定的性能。此外，其表面粗糙度（Ra）通常小于或等于5A，提供了良好的表面质量。
良好的导热性能：
GaSb单晶基片具有良好的导热性能，有助于降低器件在工作过程中产生的热量，提高器件的可靠性和稳定性。
多样化的掺杂选择：
GaSb单晶基片可以通过掺杂不同的元素（如Zn、P、Te等）来实现不同的导电类型和载流子浓度。这种多样化的掺杂选择为制备具有特定性能的器件提供了可能。
应用领域：
薄膜衬底GaSb单晶基片在多个高科技领域中有着广泛的应用，以下是其应用领域的详细归纳：
光电子器件：
制作光谱范围在2～5μm的光电子器件，这类器件在光纤通信、激光测距、光敏探测等各种工程领域发挥着重要作用。
适用于制备中长波红外探测器材料，这些探测器在夜视、大气监测、国防技术等领域有着广泛的应用。
热光伏电池：
GaSb材料是窄禁带半导体材料，能够吸收红外光（780nm～4000nm）并将其转变为电能，因此适用于制备热光伏电池。
微波器件：
GaSb单晶基片在微波器件制造中具有潜在的应用前景，其晶格的有限迁移率大于GaAs晶格，有助于提高微波器件的性能。
外延生长基底：
GaSb单晶基片常用作衬底材料，外延生长各种微波器件用微结构外延材料（如HEMT、HBT）以及大功率激光器等的多量子阱材料。
定制化应用：
提供不同规格的锑化镓(GaSb)衬底材料，如Φ2″×0.5mm、Φ3″×0.5mm等，可根据客户需求定制特殊方向和尺寸的衬底。
物理与化学研究：
GaSb单晶基片还用于各种物理和化学研究，如材料科学、固体物理学等领域的基础研究。
锑化镓（GaSb）基本参数
| 晶体 | 结构 | 晶向 | 熔点℃ | 密度g/cm3 | 禁带宽度 |
| GaSb | 立方a=6.094A | <100> | 712 | 5.53 | 0.67 |
| 单晶 | 掺杂 | 导电类型 | 载流子浓度cm-3 | 迁移率(cm2/V.s) | 位错密度(cm-2) | 标准基片 |
| GaSb | 本征 | P | (1-2)*1017 | 600-700 | <1*104 | Φ2″×0.5mm Φ3″×0.5mm |
| GaSb | Zn | P | (5-100)*1017 | 200-500 | <1*104 | Φ2″×0.5mm Φ3″×0.5mm |
| GaSb | Te | N | (1-20)*1017 | 2000–3500 | <1*104 | Φ2″×0.5mm Φ3″×0.5mm |
| 尺寸（mm） | Dia50.8×0.5mm,10×10×0.5mm、10×5×0.5mm可按照客户需求，定制特殊方向和尺寸的衬底 | |||||
| 表面粗糙度 | Surface roughness(Ra):<=5A可提供原子粒显微镜（AFM）检测报告 | |||||
| 抛光 | 单面或双面 | |||||
| 包装 | 100级洁净袋，1000级超净室 | |||||
