锗（Ge）晶体

锗（Ge）是一种优质的半导体材料，以其高电子迁移率、良好的热稳定性和机械性能在高科技领域得到广泛应用。它主要用于制造高性能的半导体器件、太阳能电池以及聚光光伏系统。锗衬底与砷化镓（GaAs）等化合物半导体具有良好的匹配性，常用于制作高效的叠层太阳能电池，尤其在外层空间供电电源中具有显著优势。然而，锗作为稀有金属，其开采和加工成本较高，限制了其更广泛的应用。

基本特性

1. 半导体性质：锗是一种优良的半导体材料，具有较高的电子迁移率和空穴迁移率。通过掺杂不同的元素，如三价元素（如铟、镓、硼）可以形成P型锗半导体，而掺杂五价元素（如锑、砷和磷）则可以形成N型锗半导体。
2. 晶体结构：锗的晶体结构为立方晶系，晶格常数a=5.65754Å。其密度为323g/cm³，硬度为4（Mohs）。
3. 物理性质：锗的熔点为4℃，具有良好的热稳定性和机械性能。

主要优点：

锗（Ge）的主要优点可以归纳如下：

优异的半导体性能：

锗是一种重要的半导体材料，具有高电子迁移率和空穴迁移率，使得其制成的器件具有出色的电子传输性能。

锗衬底制成的太阳能电池具有空间抗辐射、耐高温、高光电转换效率等特点，在人造卫星、太空站等外层空间应用中具有显著优势。

良好的热稳定性和机械性能：

锗的熔点较高（4℃），具有良好的热稳定性，使得其在高温环境下仍能保持良好的性能。

同时，锗还具有良好的机械性能，适合在各种条件下工作。

在特定领域的突出表现：

在聚光光伏（CPV）系统中，高质量的锗衬底能够实现高效的光电转换，提高系统的整体性能。

在半导体器件制造中，锗衬底可用于制造各种高性能的半导体器件，如晶体管、二极管等。

战略资源：

尽管锗在自然界中的含量相对较少，但由于其在高科技领域的广泛应用和独特性能，使其成为一种具有战略意义的材料。

与砷化镓（GaAs）的优异匹配性：

锗单晶与砷化镓（GaAs）具有优异的匹配性，这使得它们能够很好地结合在一起，形成高效的化合物半导体叠层电池。这些电池在空间供电电源中具有广泛应用，并且具有强抗辐射能力、长使用寿命和高能量转换效率（超过30%）。

全球应用广泛：

目前，全球在空间供电电源中已有80%的比例采用了锗衬底化合物半导体叠层电池，显示出锗衬底在全球范围内的广泛应用和认可。

环保和可持续性：

尽管锗是一种稀有金属，但通过精细管理和回收利用，可以减少对环境的负面影响，并促进可持续发展。

应用领域的清晰归纳和详细描述：

半导体器件制造：

锗是一种优良的半导体材料，可用于制造多种半导体器件，如晶体管、二极管等。这些器件在电子工业中起着关键作用，用于实现电子信号的处理和放大。

锗衬底的高电子迁移率和空穴迁移率使其具有出色的电子传输性能，适合制造高性能的半导体器件。

太阳能电池：

锗基太阳能电池具有空间抗辐射、耐高温、高光电转换效率等特点，特别适用于人造卫星、太空站等外层空间应用。

锗单晶与砷化镓（GaAs）等化合物半导体具有优异的匹配性，可制成高效的叠层太阳能电池。这些电池在空间供电电源中占据重要地位，全球已有80%的空间供电电源采用锗衬底化合物半导体叠层电池。

聚光光伏（CPV）系统：

锗衬底在聚光光伏系统中发挥重要作用，其高质量的锗衬底能够实现高效的光电转换，提高系统的整体性能。

红外光学应用：

锗作为红外光学材料，具有红外折射率高、红外透过波段范围宽、吸收系数小、色散率低、易加工等优点。因此，它特别适用于军工及重大民用中的热成像仪与红外雷达及其他红外光学装置的窗口、透镜、棱镜与滤光片的制造。

光纤通讯：

锗在光纤通讯中也有应用。掺锗光纤具有容量大、光损小、色散低、传输距离长及不受环境干扰等优良特性，是目前唯一可以工程化应用的光纤。

生物医学：

锗在医药领域也有应用，如Ge-132（β-羧乙基锗倍半氧化物-(GeCH2CH2COOH)2O3）已应用于防治癌症等领域。

锗（Ge）基本参数表格

参数名称	数值
晶体生长	提拉法CZ
晶体结构	单晶/多晶
纯度	≥6N
电导类型	n
电阻率	5-40 Ω·cm 1-5 Ω·cm >50 Ω·cm
表面粗糙度	Ramax 0.2 μm to 4.0 μm (D7 to D46)
投射波段	2-14 μm
折射率温度系数（dn/dt)	400 x 10-6 K
折射率 10.6 μm	4.00462
折射率均匀性	≤1.0 + 10-4
吸光系数 10.6 μm	≤ 0.035 cm
光学透射率 10.6 μm	>46%
圆片	单晶2-300mm，多晶2-450mm 厚度范围：>0.5mm
方片	长x宽：4×4~350×350mm  厚度范围：>0.5mm 平行度：<0.03mm
锗透镜（球面/非球面）	直径：5-270mm ETV<0.03mm
异形片	可以加工各种形状