铝酸镁(MgAl2O4)-薄膜衬底

铝酸镁(尖晶石)单晶是一种优质的薄膜衬底材料,具有高热稳定性、低热膨胀系数和良好的化学稳定性。它广泛应用于声波和微波器件、快速集成电路(IC)的外延基片等领域,是制备高性能电子器件的理想选择。

主要优点:广泛的应用领域,良好的物理性能,化学稳定性,与外延硅薄层晶格匹配良好,良好的加工性能,高质量的单晶生长。

应用领域:被广泛应用于声波和微波器件,作为外延基片材料,有助于制备出高性能的氮化物器件,使得它成为制备高性能集成电路的理想材料之一。

化学组成与结构

  • 化学式:MgAl2O4
  • 晶体结构:属于立方晶系,具有尖晶石结构。晶胞参数a=0.8085纳米(或a=8.085Å),显示出其紧密的晶体结构。

物理性质

  • 熔点:高达2130℃(或2403K),显示其优异的热稳定性。
  • 密度:在25°C下,密度为64克/厘米³(或3.64g/mL),表明其具有较高的质量密度。
  • 莫氏硬度:约为8 Mohs,说明其硬度适中,既能够抵抗一定程度的磨损,又便于加工处理。
  • 颜色:通常为白色透明。

技术参数与规格

  • 生长方法:常采用直拉法(提拉法)生长,可以得到高质量的单晶。
  • 晶格常数:a=0.8083 nm(或a=8.083Å),这决定了其晶体结构的特性。
  • 热膨胀系数:约为45×10^-6/℃,表明其在温度变化时具有较小的体积变化。
  • 介电常数:虽未具体给出,但尖晶石结构的材料通常具有较低的介电常数和介电损耗。

铝酸镁(尖晶石)单晶作为薄膜衬底的主要优点:

广泛的应用领域:

铝酸镁(尖晶石)单晶广泛应用于声波和微波器件,以及快速集成电路(IC)的外延基片。这种广泛的应用范围证明了其在不同领域内的优异性能。

良好的物理性能:

铝酸镁(尖晶石)单晶具有高的熔点(约2130℃),显示出其优良的热稳定性。

它的热膨胀系数较小(约为45×10^-6/℃),意味着在温度变化时体积变化较小,有利于器件的稳定运行。

其硬度适中(莫氏硬度约为8 Mohs),既能够抵抗一定程度的磨损,又便于加工处理。

化学稳定性:

铝酸镁(尖晶石)单晶不溶于水和稀硝酸,微溶于硫酸和稀盐酸,显示出良好的化学稳定性,有利于在各种化学环境中保持其性能。

与外延硅薄层晶格匹配良好:

铝酸镁(尖晶石)单晶与外延硅薄层晶格匹配良好,衬底中铝原子向外延硅薄层内的自掺杂小,热稳定性好。这一特性使其成为超高速大规模集成电路的优质绝缘衬底材料之一。

良好的加工性能:

铝酸镁(尖晶石)单晶硬度较小,加工性能较好,便于在制造过程中进行切割、研磨等加工处理。

高质量的单晶生长:

经过科研和技术的努力,现在能够提供最大直径2英寸的无孪晶、无晶畴、超光滑的高质量衬底基片(FWHM<50 arcsec, 粗糙度Ra<0.5 nm),这进一步保证了其在各种应用中的高性能。

应用领域:

铝酸镁(尖晶石)单晶作为薄膜衬底,其应用领域主要涵盖以下几个方面:

声波和微波器件:

铝酸镁(尖晶石)单晶因其独特的物理性质,被广泛应用于声波和微波器件中。它能够提供稳定的衬底支持,有助于提升器件的性能和稳定性。

快速集成电路(IC)外延基片:

在集成电路制造领域,铝酸镁(尖晶石)单晶作为外延基片材料,为超高速大规模集成电路的制备提供了优质的绝缘衬底。其良好的晶格匹配性、热稳定性和低自掺杂量等特点,使得外延硅薄层能够获得更好的性能。

III-V族氮化物器件的衬底:

研究发现,铝酸镁(尖晶石)单晶是III-V族氮化物器件的良好衬底。它能够提供稳定的生长环境,有助于制备出高性能的氮化物器件。

技术参数与优势:

铝酸镁(尖晶石)单晶的技术参数包括高熔点(约2130℃)、低热膨胀系数(约为45×10^-6/℃)和适中的硬度(莫氏硬度约为8 Mohs)。这些参数保证了其在高温、高压等极端环境下的稳定性和可靠性。

此外,铝酸镁(尖晶石)单晶与外延硅薄层的晶格匹配性良好,衬底中铝原子向外延硅薄层内的自掺杂量小,热稳定性好。这些特点使得它成为制备高性能集成电路的理想材料之一。

参数 数值
化学式 MgAl2O4
分子量 102.41 g/mol
密度 3.58 g/cm³
熔点 2135 °C
热导率 15 W/(m·K)
热膨胀系数 8.0 × 10⁻⁶/K
比表面积 10-100 m²/g