镓酸钕(NdGaO3)-薄膜衬底
NdGaO3(镓酸钕)是一种优质薄膜衬底材料,以其与高温超导体(如YBCO)的低晶格失配、无结构相变及优异的物理稳定性而著称。它常用于外延生长高质量的高温超导和磁性材料薄膜,并在电子器件、超导技术及生物医学等领域有广泛应用。
主要优点:晶格失配小,无结构相变,外延生长质量,高,物理性质稳定,精确的晶向和晶面定向,多种尺寸和厚度选择,抛光选项。
应用领域:被广泛用作高温超导体外延薄膜生长的衬底,适用于磁性材料外延薄膜的生长,仅作为高温超导和磁性材料外延薄膜的衬底,还因其独特的物理和化学性质,在制备其他类型的外延薄膜时也具有重要的应用价值。
NdGaO3(镓酸钕)是一种优质薄膜衬底材料,以其与高温超导体(如YBCO)的低晶格失配、无结构相变及优异的物理稳定性而著称。它常用于外延生长高质量的高温超导和磁性材料薄膜,并在电子器件、超导技术及生物医学等领域有广泛应用。
化学组成与结构
- 化学式:NdGaO3
- 晶体结构:正交晶系,晶胞参数为a=5.43Å、b=5.50Å、c=7.71Å。
物理性质
- 熔点:1600℃
- 密度:57g/cm³
- 介电常数:25
薄膜衬底NdGaO3(镓酸钕)的主要优点可以归纳如下:
晶格失配小:
NdGaO3与YBCO(钇钡铜氧)等高温超导体之间的晶格失配非常小,仅为~0.27%。这种小的晶格失配有助于在NdGaO3衬底上外延生长出质量更高的薄膜。
无结构相变:在一定温度范围内,NdGaO3没有结构相变,这确保了其在高温或温度变化条件下的稳定性。
外延生长质量高:
由于上述的晶格失配小和无结构相变的特性,NdGaO3成为高温超导体(如YBCO)和磁性材料外延薄膜生长的理想衬底。在这些衬底上,可以外延生长出质量良好的薄膜。
物理性质稳定:
NdGaO3的熔点高达1600℃,密度为57g/cm³,介电常数为25,这些物理性质显示了其良好的稳定性和适用性。
精确的晶向和晶面定向:
NdGaO3的晶向和晶面定向精度较高,晶向可选<100>、<110>、<111>等,晶面定向精度为±0.5°,边缘定向精度可达1°以内(特殊要求)。这种高精度的晶向和晶面定向对于外延薄膜的生长和性能至关重要。
多种尺寸和厚度选择:
NdGaO3提供多种尺寸和厚度选择,如10×3, 10×5, 10×10, 15×15, 20×15, 20×20等尺寸,厚度可选5mm, 1.0mm等。这种灵活性使其能够满足不同应用的需求。
抛光选项:
NdGaO3提供单面或双面抛光选项,以满足不同应用对表面光洁度的要求。
薄膜衬底NdGaO3(镓酸钕)的应用领域主要集中在高温超导和磁性材料领域,其应用详情如下:
高温超导薄膜:
NdGaO3由于其与YBCO(钇钡铜氧)等高温超导体之间极小的晶格失配(~0.27%),被广泛用作高温超导体外延薄膜生长的衬底。这种小的晶格失配有助于生长出质量高、性能稳定的超导薄膜。
中科瑞晶等公司提供的NdGaO3衬底材料,可以满足不同客户的需求,为高温超导体的研究和应用提供了有力支持。
磁性材料薄膜:
NdGaO3同样适用于磁性材料外延薄膜的生长。由于其优异的物理性能和稳定性,NdGaO3衬底能够为磁性材料薄膜提供良好的生长环境,从而制备出性能优异的磁性材料。
外延薄膜衬底:
NdGaO3不仅作为高温超导和磁性材料外延薄膜的衬底,还因其独特的物理和化学性质,在制备其他类型的外延薄膜时也具有重要的应用价值。
技术参数与规格:
NdGaO3单晶基片的技术参数包括生长方法(如提拉法)、晶体结构(正交)、晶格常数(a=5.43Å, b=5.50Å, c=7.71Å)、密度(57g/cm³)、熔点(1600℃)和介电常数(25Mohs)等。
产品规格包括多种晶向选择(如<001>、<110>、<100>±0.5º)、尺寸(如5mm、10x5x0.5mm、5x5x0.5mm等)和抛光选项(单面抛光,表面粗糙度Surface roughness(Ra):<=5A)。
镓酸钕(NdGaO3)的基本参数表格如下:
参数 | 数值 | 单位 |
---|---|---|
分子式 | NdGaO3 | – |
分子量 | 312.076 | g/mol |
密度 | 7.57 | g/cm³ |
熔点 | 1600 | ℃ |
晶体结构 | 正交晶系 | – |
晶格常数 | a=5.43Å, b=5.50Å, c=7.71Å | Å |
介电常数 | 25 | – |